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产品详情
1.产品特点：
全球首款面向集成光子的无铜硅晶圆。
采用无铜硅晶圆构建无吸收损耗的光子集成电路，面向超低损耗和可重复的晶圆级光子性能而设计。
铜污染--规模化光子器件的关键瓶颈。
2.核心优势：
在晶圆加工过程中，即使痕量铜也会扩散进入介质 PIC层。在低损耗光子集成电路中，这种污染会形成吸收中心，导致热漂移并降低 Q 因子。
Deeplight的无铜硅晶圆从基底层面消除这一限制，可实现：
超低热漂移与高度稳定的谐振
超低光学损耗与持续稳定的高 Q 因子
整片晶圆范围内器件性能保持一致
Si3N4微谐振腔中可预测、可重复的孤子形成
3.应用领域：
适用于高性能微梳、下一代LiDAR、精密传感平台、通信系统和量子光子器件。
铜污染会在规模化制造中破坏低损耗集成光子电路的稳定性。
随着应用从实验室走向商业系统，这一污染问题可能成为器件性能的关键障碍。
4.技术规格
深光提供100mm和150mm硅晶圆 ,专门设计用于防止铜扩散进入光子器件层。我们不是在后段工艺中补救吸收相关退化，而是在基底层面去除根因。
由此形成更洁净的材料平台，在整片晶圆制造和封装流程中保持光学纯度。
无需修改您现有的光子芯片制造工艺，完全不影响代工厂兼容性。
特有专利
5.行业拓展
深光无铜晶圆可消除铜向光子层迁移的问题，去除光学吸收和热漂移的重要来源。基于这种洁净的基底平台，Si3N4微谐振腔能够实现稳定、可重复的孤子形成；即使在约40GHz的低重复频率、热敏感性很高的条件下也能保持稳定。
这使得无需复杂调谐方案即可实现确定性的 DKS生成，为下一代相干传感、精密定时和通信系统提供可靠的微梳运行基础。
图 2：铜污染对孤子台阶长度的影响（左）；基于无铜硅晶圆制备的 100 GHz FSR Si3N4 微谐振腔单孤子光谱（右）。
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